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BLF6G10LS-200中文资料

  • 大小：99.23KB
  • 厂家：NXP [NXP Semiconductors]
  • 描述：Power LDMOS transistor
  • 制造商：NXP
  • 产品种类：射频MOSFET电源晶体管
  • 配置：Single
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：65 V
  • 漏极连续电流：49 A
  • 闸/源击穿电压：13 V
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：SOT502B
  • 封装：Tube
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 产品类型：MOSFET Power
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.06 Ohms
  • 工厂包装数量：20
  • 零件号别名：BLF6G10LS-200,112

BLF6G10LS-200供应商

更新时间:2023-01-13 17:37:00
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